830nm帯半導体レーザにおける光注入による偏光スイッチング
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概要
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金光型光スイッチングデバイスは光交換システムや光コンピュータシステムにおけるキーデバイスとしてその開発が盛んに行なわれている。そこで我々はレーザにおける偏光面の安定性に着目し、直交する偏光面間での双安定スイッチングについて研究を行なってきた。偏光面を利用した外部レーザ光注入による双安定スイッチングに関しては、既に1.3μm帯半導体レーザにおいてその詳細な特性の報告がなされている。今回我々は数種の半導体レーザ(680nm:MQW,780nm:SAS,83Onm:CSP)を用いて同様の実験を行ない、CSP構造のレーザにおいて良好な結果を得ることができたのでこれを報告する。
- 1994-09-26
著者
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一ノ瀬 琢美
同志社大学工学部
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一ノ瀬 琢美
同志社大学工学部電子工学科
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大田 建久
同志社大学工学部
-
間宮 勝
同志社大学工学部:和泉電気株式会社
-
大野 誠司
同志社大学工学部
-
間宮 勝
和泉電気(株)
-
大田 建久
同志社大学 工学部
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