光注入による半導体レーザのモードホッピングに基づく偏光スイッチング
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概要
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全光型スイッチングデバイスはそのスイッチングの高速性において情報処理の分野で注目されている。そこで我々は特に外部光注入による偏光出力のスイッチング現象について研究を行い、830nm帯CSP型半導体レーザにおいて偏光双安定性を示す結果が得られたことを報告した。その後実験を重ねた結果、従来1.3μm帯半導体レーザにおいて報告されている偏光双安定現象とは性質が異なることが明らかとなったので、今回新たに注入波長のモードホッピングに基づく理論的モデルを参考にした。その結果、注入波長とレーザの共振波長との相対的位置関係がループの形状を決定していることを理論的、実験的に明らかにしたのでこれを報告する。
- 1995-03-27
著者
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