近赤外半導体レーザの光注入による偏光双安定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
TEモードで発振している半導体レーザ(LD)に対し外部よりTM波を注入することで、その出力光における偏光出力の制御を行った。実験には780nm帯SAS型と830nm帯CSP型の2種類のLDを用いたが、特に830nm帯CSP型LDにおいてその入出力特性にヒステリシスループを確認し、光メモリとしての応用が可能であることを実験的に示した。また、ループの回転方向が従来の報告とは異なるため、入力波長のモードホッピングに基づいた別の理論的モデルを考察した。
- 1994-10-12
著者
関連論文
- Yb:YLFを用いた30mJ再生増幅器の開発(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-9 アセチレン分子に周波数安定化した 1.5μm 半導体レーザにおける安定度の気体セル圧力依存性
- エルビウムファイバリングレーザにおける多モード発振特性
- 6a-KB-11 He-Neレーザの同時発振(0.63μ,3.39μ)状態における二重共鳴
- 内部鏡型633nmHe-Neレーザの単一モード発振における特異な偏光特性とその動作機構
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTE-TMモード間の競合特性
- 単一モード633nmHe-Neレーザの反射光注入同期による偏光スイッチング
- 単一モード633nmHe-Neレーザの反射光注入同期による偏光スイッチング
- 内部鏡型He-Neレーザの633nm単一モード発振における非線形な偏光特性
- C-4-19 単一モード633nmHe-Neレーザの偏光安定性
- 2モード安定化633nmHeNeレーザの偏光特性に関するNe同位元素とHe圧力依存性
- 2モ-ド安定化633nm HeNeレ-ザの偏光特性に関するNe同位元素とHe圧力の依存性
- 外部共振器内のヨウ素吸収セルを用いたFM分光法による633nmHe-Ne周波数安定化レーザの特性評価
- 内部鏡633nm HeNeレ-ザの偏光特性に関するシミュレ-ション(1)
- 光ヘテロダインによる15GHzマイクロ波発生の周波数制御
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTE-TMモードの競合
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTE-TMモードの競合
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTE-TMモードの競合
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTE-TMモードの競合
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTE-TMモードの競合
- 光ヘテロダインによる15GHzマイクロ波発生の周波数制御
- Erドープファイバリングレーザの多モード発振特性
- エルビウムファイバリングレーザにおける多モード発振特性
- エルビウムファイバリングレーザにおける多モード発振特性
- SC-4-10 光ヘテロダインによるマイクロ波発生の周波数制御
- C-4-31 Erドープファイバリングレーザの発振波長における濃度条長積および帰還率の依存性
- C-4-20 外部リング共振器を用いた633nm半導体レーザによるヨウ素分子吸収スペクトルの観測
- 光ヘテロダインによるマイクロ波発生の周波数制御
- Yb:YLFを用いた30mJ再生増幅器の開発(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- エルビウムドープファイバリングレーザの発振スペクトル特性(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- エルビウムドープファイバリングレーザの発振スペクトル特性(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 光注入による単一モードHe-Neレーザの偏光スイッチングと双安定
- 630nm MQW型半導体レーザにおける光注入効果
- 外部注入光による633nmHe-Neレーザの偏光スイッチング機構
- 注入ロッキングを利用した633nmHe-Neレーザの偏光スイッチング
- 光注入による2モードHeNeレーザの偏光スイッチング
- 光注入による633nmHeNeレーザの偏光スイッチングと双安定[II]
- 外部共振器内ヨウ素吸収セルを用いたFM分光法による633nm He-Neレーザの周波数安定化
- 外部リング共振器を用いたヨウ素安定化HeNeレーザ[II]
- 外部共振器内に偏光素子を挿入した633nmHe-Neレーザの特異な偏光特性(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 外部共振器内に偏光素子を挿入した633nmHe-Neレーザの特異な偏光特性(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTEモードとTMモードの競合特性
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTEモードとTMモードの競合特性
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTEモードとTMモードの競合特性
- 複合共振器を用いた633nmHe-Neレーザの偏光特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 複合共振器を用いた633nmHe-Neレーザの偏光特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- レーザーの偏光とその活用
- 光注入ロッキングを利用した半導体レーザの偏光スイッチングにおける導波構造の影響
- 2モード安定化He-Neレーザを用いた高分解能光ヘテロダイン干渉計
- モードホッピングを利用したTM偏光波注入半導体レーザにおける双安定偏光スイッチング
- 光注入による半導体レーザのモードホッピングに基づく偏光スイッチング
- 光注入による633nmHeNeレーザの偏光スイッチングと双安定
- 近赤外半導体レーザの光注入による偏光双安定
- 633nmHeNeレーザにおける光注入による偏光スイッチング
- 830nm帯半導体レーザにおける光注入による偏光スイッチング
- 偏光安定化633nmHeNeレーザの放電電流による発振周波数の高速制御
- 複合共振器内に偏光子を有するHe-Neレーザのスイッチング特性
- 電子立国日本のこれからの技術者育成 : 「理工系離れ問題」を意識しながら
- 光PLLによるマイクロ波の発生
- ファイバブラッググレーティングを用いたエルビウムドープファイバレーザの発振特性
- ファイバブラッググレーティングを用いたエルビウムドープファイバレーザの発振特性
- ファイバブラッググレーティングを用いたエルビウムドープファイバレーザの発振特性
- ファイバブラッググレーティングを用いたエルビウムドープファイバレーザの発振特性
- ヨウ素分子の飽和吸収スペクトルを利用した633nm帯半導体レーザの周波数安定化
- C-4-27 赤色半導体レーザ増幅器における TE モードと TM モードの非線形な競合現象
- C-4-15 光ヘテロダインによるマイクロ波発生の広帯域周波数制御
- C-4-10 ヨウ素分子の飽和吸収スペクトルを利用した周波数安定化 633nm 半導体レーザ
- 光ヘテロダインによるマイクロ波発生の広帯域周波数制御
- 光ヘテロダインによるマイクロ波発生の広帯域周波数制御
- 光ヘテロダインによるマイクロ波発生の広帯域周波数制御
- 光ヘテロダインによるマイクロ波発生の広帯域周波数安定化とそのオフセット制御
- 2モードレーザの周波数オフセットロッキングを利用したヨウ素安定化HeNeレーザシステム[I]
- 2モードレーザの周波数オフセットロッキングを利用したヨウ素安定化HeNeレーザシステム
- 2モード安定化He-Neレーザを用いた高分解能光ヘテロダイン干渉計
- エルビウムファイバリングレーザにおける多モード発振特性
- エルビウムファイバリングレーザにおける多モード発振特性
- 2モード安定化He-Neレーザによる光ヘテロダイン振動計測(II)
- 2モード安定化HeNeレーザによる光ヘテロダイン振動計測
- 2モ-ド安定化レ-ザ-による光ヘテロダイン振動計測
- 2モード安定化レーザーを用いた高分解能光ヘテロダイン干渉計
- 12a-S-1 FMレーザの静磁界特性