温度変動による利得変化を抑制したCMOS可変利得増幅器
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概要
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携帯通信機器の中間周波数帯用の可変利得増幅器と直交復調器を0.25-μmルールのCMOSプロセスによって試作した.温度変動による利得の変化を避けるためにMOSトランジスタの弱反転領域を利用したマスタースレーブ方式の指数変換回路を提案し, 利得制御回路に適用した.また, 可変利得増幅器には, MOSトランジスタを2乗領域にバイアスした増幅器と弱反転領域にバイアスした増幅器を組み合わせることによって, 広範囲の可変利得特性を実現した.試作した回路は, 電源電圧2.5Vで, 80dB分の線形可変利得範囲を達成した.
- 2001-08-31
著者
-
山路 隆文
(株)東芝 研究開発センター
-
板倉 哲朗
(株)東芝 研究開発センター
-
飯田 哲也
(株)東芝セミコンダクター社
-
山路 隆文
(株)東芝研究開発センター
-
狩野 修男
(株)東芝セミコンダクター社
-
山路 隆文
(株)東芝 セミコンダクター&ストレージ社 アナログ・イメージングIC事業部
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