携帯電話に適用し得るPre-Distortion高周波電力増幅器の開発
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概要
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本報告は、新しい方式によるPre-distortionを用いた歪補償技術と、その技術を一体化したN-CDMA端末に適応し得るPAモジュールの開発に関するものである。入力包絡線でLook-up-table(LUT)をアクセスする方法を用いることにより、Base-Bandブロックから独立して歪補償を行い得る。適応補償に際しては、AM/PMの適応補償を省略し、入出力包絡線差によりLUTを修正する方式を開発した。これにより、回路規模を大幅に簡単化するとともに、主たる回路をCMOS ICに集積し、モジュールとして一体化することにより、携帯端末に適した歪補償PAモジュールを実現した。試作したPAモジュールは900MHz帯N-CDMA端末用であり、Pout=27.5dBmで効率=48%と言う極めて高い効率を実現し得た。
- 2003-01-09
著者
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飯田 哲也
(株)東芝セミコンダクター社
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山本 勝也
ソニーエリクソンモバイルコミュニケーションズ(株)
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田辺 顕
(株)東芝セミコンダクター社
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桜井 賢
(株)東芝セミコンダクター社
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楠 繁雄
ソニーエリクソンモバイルコミュニケーションズ(株)
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初谷 匡長
ソニーエリクソンモバイルコミュニケーションズ(株)
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田上 研之
ソニーエリクソンモバイルコミュニケーションズ(株)
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冨永 尚人
太陽誘電(株)
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大沢 完至
(株)東芝セミコンダクター社
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Nagaoka H.
Sony Ericsson Mobile Communications Japan Inc.
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