化学増幅系3成分ポジ型レジストの溶解抑制剤による未露光部の溶解速度低下に関する研究
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概要
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化学増幅系3成分ポジ型レジスト(ベース樹脂, 溶解抑制剤, 酸発生剤)において, 溶解抑制剤の溶解抑制基の化学構造を検討し, 未露光部の溶解速度の低下を図った. 溶解抑制剤として, 炭酸エステルとカルボン酸エステルを比較評価した. カルボン酸エステルを使用したレジストは炭酸エステルのものより未露光部の溶解速度が小さかった. この原因をIR, TGAで調べた結果, 炭酸エステルはプリベーク時に溶解抑制基(tBOC基)の一部が熱分解しOH基に変化し溶解促進基になっていることが判明した. これは, 炭酸エステルがカルボン酸エステルに比較し熱安定性に劣るためである. 化学増幅系レジストの高解像度化には, 未露光部の溶解速度を低く抑えられるカルボン酸エステルを溶解抑制剤に用いることが好ましいことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-25
著者
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