化学増幅系3成分ポジ型レジストのべース樹脂とレジスト特性との関係
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概要
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化学増幅系3成分ポジ型レジスト(ベース樹脂,溶解抑制剤,酸発生剤)において,ベース樹脂にポリ(p-ビニルフェノール) (PVP)のOH基の一部分をtert-ブトキシカルボニル(tBOC)基で保護した化合物を使用したときのtBOC化率(20.9〜23.8%の中の4種類)とレジスト特性との関係を検討した. tBOC化率の減少と共にレジストは高感度化した.一方,解像度はtBOC化率の増加と共に膜べり量が減少し向上した.パターンプロファイルをSEMで観察し,感度,解像度を総合的に判断した結果,最適なtBOC化率は23.8%であることがわかった. tBOC化率23.8%のレジストは,感度が16.0μC/cm^2で,0.2μm L&S (21.8μC/cm^2照射)を形状よく解像した
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-25
著者
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堀辺 英夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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熊田 輝彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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熊田 輝度
三菱電機 先端技総研
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堀優 英夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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熊田 輝度
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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堀優 英夫
三菱電機
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堀邊 英夫
三菱電機
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