高周波プラズマドーピング法の低温多結晶シリコンTFT作製プロセスへの適用

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概要

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LCD駆動用poly-Si TFT作製のための新しいドーピング技術として高周波プラズマドーピングとエキシマレーザアニールによる不純物活性化法を検討した.プラズマドーピング後の低温熱処理では不純物の活性化率が低く,十分低いシート抵抗値は得られない.一方レーザアニールでは不純物の活性化率は大幅に向上しTFTのソース,ドレーン層として十分低い抵抗値を得ることができることがわかった.本プロセスを用いて作製したTFTの特性は従来のイオン注入法と熱処理を用いたプロセスと同等であることを確認した.また,作製したTFTの電界効果移動度の均一性は100mm×100mm基板内で±3%以内であった.以上の結果から高周波プラズマドーピング法は自己整合型低温poly-Si TFT作製のための不純物ドーピングプロセスとして適用可能であることがわかった.
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-05-25

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