Poly-Si TFTによる回路内蔵型TFT-LCD
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概要
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プラズマCVD法で形成したa-Si:H膜をXeClエキシマレーザを用いてpoly-Si化した逆スタガ構造poly-Si TFTを形成した。半導体層をpoly-Siとa-Si:Hの積層構造とし、n^+a-Si層とチャネルを形成するpoly-Si層を直接コンタクトする構造を採用することにより、20cm^2, V・sの電界効果移動度を得た。プロセスの最高温度は300℃であり、従来のa-Si:H TFTプロセスと同等である。上記構造のpoly-Si TFTをスイッチマトリクスとして内蔵した対角2.3インチTFT-LCDを開発し、信号側IC数を1/2に削減することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-18
著者
-
小川 和宏
日立製作所日立研究所
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小西 信武
日立製作所 日立研究所 画像エレクトロニクス部
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田中 武
日立製作所 日立研究所 画像エレクトロニクス部
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品川 陽明
日立製作所 日立研究所 画像エレクトロニクス部
-
阿須間 宏明
日立製作所 日立研究所 画像エレクトロニクス部
-
小野 記久雄
日立製作所 日立研究所 画像エレクトロニクス部
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小西 信武
(株)日立製作所日立研究所
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品川 陽明
日立製作所日立研究所
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田中 武
(株)日立製作所日立研究所
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小野 記久雄
日立製作所日立研究所
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小野 記久雄
(株)日立製作所 日立研究所
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阿須間 宏明
日立製作所日立研究所
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