キャリヤの移動度の変化及び基板効果の影響を受けないMOS電圧-電流変換回路
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概要
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キャリヤの移動度の変化及び基板効果の影響を受けない線形なMOS電圧-電流変換回路を提案している.MOSFETを非飽和領域で動作させ, ひずみを低減させるために適切にバックゲート端子がバイアスされた状態で入力信号をドレイン端子に入力する.シミュレーションの結果, 適切なバックゲート電圧によりひずみが低減することを確認している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-25
著者
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