遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して(新型不揮発性メモリ)
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概要
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遷移金属酸化物接合で発現する高速かつ可逆な電界誘起抵抗スイッチング効果の動作メカニズムを解明する目的で, p型半導体のPCMOとn型半導体のNbドープSTO(Nb : STO)の各種電極との接合について電流-電圧特性とパルス電圧印加による抵抗スイッチング特性を詳細に調べた. 接合の電流-電圧特性は, 組み合わせた金属電極材料の仕事関数に依存し, PCMOと浅い仕事関数を有する金属及びNb : STOと深い仕事関数を有する金属との接合ではショットキー的な整流性を示した. また, 整流性を示す接合の電流-電圧特性には明確なヒステリシスが観測され, そのヒステリシスの方向に対応したパルス電圧誘起の抵抗スイッチングが観測された. これらの結果から, 電極金属と酸化物半導体薄膜の界面にショットキー障壁に相当する空乏領域が存在し, その領域への電荷蓄積が可逆な抵抗スイッチングとそのメモリ効果に関連していると考えられる.
- 2005-03-04
著者
-
澤 彰仁
産総研
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澤 彰仁
産業技術総合研究所 強相関電子技術研究センター
-
十倉 好紀
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
-
藤井 健志
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
-
川崎 雅司
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
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