川崎 雅司 | 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター

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概要

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• 同名の論文著者
• 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センターの論文著者

関連著者

• 澤 彰仁

  産業技術総合研究所 強相関電子技術研究センター

• 十倉 好紀

  産業技術総合研究所強相関電子研究センター

• 藤井 健志

  産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター

• 川崎 雅司

  産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター

• 澤 彰仁

  産総研

著作論文

• ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して(新型不揮発性メモリ)
• ペロブスカイト型酸化物界面の抵抗スイッチング効果
• ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して

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