遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して

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概要

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• 2005-03-04

著者

• 澤 彰仁

  産業技術総合研究所 強相関電子技術研究センター

• 十倉 好紀

  産業技術総合研究所強相関電子研究センター

• 藤井 健志

  産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター

• 川崎 雅司

  産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター

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