超熱エネルギーCl_2ビームによるSi(100)の並進エネルギー誘起エッチング
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概要
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3eVまでの並進エネルギーを持つCl_2の中性ビームを用いてn^+Si(100)をエッチングした。通常のガスエッチングが起きない基板温度でも、2.1eVをしきい値としてエッチングが誘起される現象を見い出した。アーレニウスプロットから並進エネルギー誘起エッチングの活性化エネルギーが1.2eV、ガスエッチングのそれが2.7eVと見積られた。3eV程度の低並進エネルギーでも、従来は{111}ファセットの出現する基板温度において、側壁エッチングのほとんどない異方性エッチング形状となることを実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-21