金拡散シリコンダイオードにおける誘導性サセプタンス : S.R.H.統計が示す誘導性サセプタンス
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概要
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金を拡散させたシリコンダイオードの小信号応答は負のサセプタンス(誘導性サセプタンス)を示す.これは,金の準位を再結合中心とした再結合電流のアドミタンスでよく説明できる.今回,エネルギーバンドの曲がりを厳密に計算し, Shockley-Read-Hall統計に基づき再結合電流の交流信号応答から再結合過程におけるアドミタンスを求めた.その際に積分軸をエネルギー方向に変換することにより,再結合を律速するパラメータを計算することが可能になった.また,この計算結果と測定結果を比較検討した.その結果,金拡散シリコンダイオードの誘導性サセプタンス発生のメカニズムが明かになり,金を拡散させないシリコンダイオードの場合との違いが明かになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
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