横型SOI Diodeの各種アノード構造によるリカバリ特性改善

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概要

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• 横型DiodeをSOI基板上に試作し、リカバリ特性を評価した。Diodeは3種類のアノード構造を用意した。内訳はconventional、emitter shorted、Trasparentである。emitter shortedはリカバリ時にアノード側で寄生バイポーラが動作し破壊する。Transparentはconventionalに比べリカバリ電流を約半分に低減でき、スイッチングロス低減に有効であることを見いだした。併せてリカバリ電流の温度依存性を評価した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-02-19

著者

• 日根 史郎

  三菱電機株式会社 LSI研究所

• 秋山 肇

  三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所

• 渡部 毅代登

  三菱電機パワーデバイス統括部

• 延藤 慎治

  三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部

• 渡部 毅代登

  三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部

• 秋山 肇

  三菱電機 Ulsi技開セ

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