リモートプラズマを用いたシリコン酸化膜表面界面の窒化プロセス

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概要

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高信頼ゲート絶縁膜として注目されているシリコン窒化酸化膜においては、窒素の導入量や導入位置を制御することが重要である。本研究では先ず、リモートプラズマ励起窒素酸素を用いてシリコンの直接窒化酸化を行い、膜組成分布の温度依存性を調べた。次に、シリコン酸化膜に励起窒素酸素処理を行い、界面に窒素を導入するためには750℃以上の温度が必要であることがわかった。以上のいずれの方法でも、窒素は界面付近のみ導入され、酸化膜表面に窒素はほとんど残らない。そこで、酸化膜をフッ素処理後、励起窒素処理を行う新しい方法を提案した。この方法により、酸化膜表面付近のみに約2〜3%の窒索を導入することができた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-05-23

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