リモートプラズマ励起窒素・酸素を用いたシリコン窒化酸化膜の形成
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概要
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シリコン窒化酸化膜はメモリデバイス等における高信頼性絶縁膜として注目されているが、従来の形成法では膜緲戊の制御は充分ではない。本研究では、窒素・酸素混合ガスをリモートプラズマにより励起し、シリコン表面に供給して550℃の低温で窒化酸化膜の直接成長を行い、その成膜過程の解明を試みた。Auger電子分光分析により形成膜中の組成分布を調べたところ、窒素はおもに酸化膜シリコン界面付近に存在した。窒素ガスと酸素ガスの流量比を変化させることにより、ピーク窒素濃度は少なくとも7%程度まで制御でき、従来の窒素源である亜酸化窒素を用いた場合より広範囲の窒素濃度が得られることがわかった。一方、酸化種は膜成長を促進し、界面における窒素の取り込みを可能にするが、供給量が増大すると窒素濃度を減少させることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
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