低損失GaAs PINダイオードを用いたKa帯1入力2出力MMICスイッチ
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概要
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ミリ波帯において,低損失かつ高アイソレーション特性をもつ1入力2出力(Single-Pole Double-Throw:SPDT)モノリシックマイクロ波集積回路(Monolithic Microwave Integrated Circuits:MMIC's)スイッチを実現するためには,従来スイッチ素子として使用されている電界効果トランジスタ(Metal Semiconductor Field Effect Transistor:MESFET)やpseudomorphic HEMT(PM-HEMT)よりも,更にスイッチングカットオフ周波数が高く,かつ高耐圧な素子を用いる必要がある.本論文では,ミリ波帯において従来のスイッチ素子に代わる新しい素子として低損失かつ高耐圧特性をもつGaAs PINダイオードの開発,試作結果について述べている.開発した新しいGaAs PINダイオードの諸特性と等価回路について詳細に述べ,ミリ波帯GaAs PINダイオードの低損失化のポイントについて述べている.更に,このGaAs PINダイオードを用いたSPDT MMICスイッチの設計と試作結果について述べ,今回開発したGaAs PINダイオードがミリ波帯のMMICに適したスイッチ素子であることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-25
著者
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