MIM構造をもつスパイラルインダクタの特性
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概要
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メタル・絶縁膜・メタル(Metal-Insulator-Metal;MIM)キャパシタ構造を用いたスパイラルインダクタ(以下,MIMスパイラルインダクタと呼ぶ)の高周波特性について議論している.MIMスパイラルインダクタの構造について定義し,高周波特性について従来のスパイラルインダクタとの比較を行っている.この結果から,MIMスパイラルインダクタがモノリシックマイクロ波集積回路(Monolithic Microwave Integrated Circuit ; MMIC)の小形化に適していることを示している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-01
著者
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