液相エピタキシャル成長LiNbO_3薄膜光導波路とそれを用いた進行波形光変調器の作製と評価
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概要
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液相エピタキシャル成長(LPE)法により,LiTaO_3基板上にMgOを5mo1%添加したLiNbO_3薄膜光導波路を形成した.それをArプラズマエッチングによりチャネル化し,リッジ導波路とした.この導波路のTMモード光伝搬損は,波長1.55μmおよび0.83μmにおいて,いずれも1.2dB/cmであった.この導波路を用いてマッハツェンダー形光強度変調器を作製し,動作電圧をTi拡散LiNbO_3導波路による作製した変調器と比較したところ、ほぼ同等の電気光学効果があることがわかった.更に,進行波電極を形成した光強度変調器では,波長1.55μmにおいて,動作電圧4.6V,光3dB帯域幅は測定周波数域6.5GHz以上を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-25
著者
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