電界印加法によるLiTaO_3ドメイン反転格子

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概要

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室温における電界印加法によりバルク型ドメイン反転格子が作製され、その光学特性が疑似位相整合を用いて評価された。LiTaO_3基板を用いたバルク型ドメイン反転格子は、周期7.5μmで、反転領域は厚さ500μmの基板全域に及んでいる。1次の疑似位相整合に対して理論変換効率が1.6%, Wcmと見積もられ、実験値1.3%/Wcmはほぼ一致しており、バルク型ドメイン反転格子を用いることにより高い効率の非線形相互作用が期待されることが明かとなった。電界印加法によりドメイン反転の三次元制御が可能と考えられ、動作波長域の拡大と共にバルク型ドメイン反転格子を用いたマイクロ非線形光学デバイスや集積型レーザ光源への発展が期待される。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-10-12

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