磁界印加時における半導体レーザの諸特性変化とそのメカニズム(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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これまで我々は,近赤外および可視光で発振するいくつかの構造の異なる半導体レーザに磁界を印加し,その時に生じる光出力,発振波長の変化を測定してきた。初期の結果から当初は,特性変化は内部の温度上昇によるものと考えていた。しかし,発振波長帯および内部構造の異なる半導体レーザにおいて,温度の効果だけでは説明の出来ない結果を得た。そこで我々は内部のキャリア密度の変化もシフトに影響すると考え,その効果を加えた新たなシフト理論を考案した。今回は特性のシフト機構を更に詳しく見て行くための実験を行ったので,その結果と検討について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-11
著者
-
大河 正志
新潟大工
-
大河 正志
新潟大学工学部
-
丸山 武男
新潟大学工学部
-
佐藤 孝
新潟大学工学部
-
大澤 康暁
新潟大学大学院自然科学研究科
-
瀬戸 祥夫
新潟大学大学院自然研究科
-
近藤 光正
新潟大学大学院自然科学研究科
-
瀬戸 祥夫
新潟大学工学部
-
瀬戸 祥夫
新潟大学大学院自然科学研究科
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