Metal(dmit)_2に基づく高導電性ラングミュア・ブロジェット膜 : 超伝導の可能性(II)(分子薄膜デバイス・一般)
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概要
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ジテトラデシルジメチルアンモニウム-Au(dmit)_2(2C_<14>-Au(dmit)_2)塩に基づくLB膜は、電解酸化処理の後、室温で40S/cm程度の高い電気伝導度を示す。さらに、交流磁化率は、4K以下の温度域にマイスナー状態の存在を示唆する磁性異常を示すが、冷却時に、4K以下の温度域に抵抗減少を示す試料バッチは少数である。前回、0.5mm幅の電極ギャップを用いて測定した直流抵抗の測定結果に基づく議論を行った。今回、5μm幅の櫛型電極ギャップを用いた交流抵抗の測定結果を示し、原子間力顕微鏡(AFM)、およびブリュースター角顕微鏡(BAM)を用いて観察した膜の形態に関する結果と併せて議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-22
著者
-
上床 美也
東京大学物性研究所
-
渡邊 亮
熊本大学
-
渡邊 亮
桐蔭横浜大工
-
盛田 伸一
桐蔭横浜大工
-
三浦 康弘
桐蔭横浜大工
-
杉 道夫
桐蔭横浜大工
-
三浦 康弘
桐蔭横浜大院工
-
渡邉 亮
熊大・工
-
杉 道夫
桐蔭横浜大院工
-
辺土 正人
東京大学物性研究所極限環境物性研究部門
-
杉 道夫
桐蔭横浜大学工
-
盛田 伸一
桐蔭横浜大学工
-
三浦 康弘
桐蔭横浜大学工
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