STM下でのLB膜のスイッチング・メモリー機能
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概要
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緻密で均質なLangmuir-Blodgett(LB)膜を貴金属電極上で実現することにより見出された金属, LB膜/金属(M/LB/M)素子での特異なスイッチング・メモリー現象を走査型トンネル顕微鏡(STM)の探針の下で発現させ、リソグラフィー限界を越えた微細M/LB/M素子を実現することを試みた。その結果、STM探針を用いてLB膜にパルス電圧を印加することにより直径10nmの微小な領域に導電性の変化を発現させることができた。この変化を1記録ビットとみなすと、きわめて高密度な情報記録を実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-03-18
著者
-
瀧本 清
キャノン(株)中央研究所
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中桐 孝志
キャノン株式会社中央研究所
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中桐 孝志
キヤノン
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矢野 亨治
キャノン株式会社中央研究所
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矢野 亨治
キヤノン中央研究所
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瀧本 清
キヤノン中央研究所
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江口 健
キヤノン中央研究所
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中桐 孝志
キヤノン中央研究所
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畑中 勝則
キャノン(株)中央研究所
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畑中 勝則
キヤノン中央研究所
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江口 健
キヤノン(株)中央研究所・機能材料研究部
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