BSIM3v3 によるSRAMセルのデータ保持特性の設計
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概要
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SRAMセルのデータ保持特性は, セルのドライブトランジスタが弱反転領城と強反転領域との間の, 遷移領域にかけて動作する。従来のMOSデバイスモデルでは, この遷移領域を高精度にシミュレーションするのは困難であった。BSIM3v3を用いて, 高精度なシミュレーションによる設計を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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