回路シミュレーション用MOSデバイスモデル技術とその変遷
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概要
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MOSデバイスのディープサブミクロン化が急速に進行する近年, 回路シミュレーション用デバイスモデルの精度への要求が高まっている.本稿では, 過去に世界公開されたデバイスモデルと特にBSIM3に焦点を当てた特徴を解説する.BSIM3はデバイスモデルとして高精度であるのみでなく, そのパラメータを用いてデバイスの物理現象の再現把握, デバイス構造の物理値を変更した場合の物理現象変化の予測が可能であり, これらに対して事例をもって解説する.更に三洋電機では全社的にBSIM3を活用しており, その取組み事例を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-25
著者
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