CMOS VLSI回路の設計試作 (3) : 耐放射線回路
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概要
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国際宇宙ステーションJEM建設等を目指し, 過酷な放射線環境下で使用可能なLSIの開発が活発に行われるようになってきている。本稿ではCMOS基本論理回路と6トランジスタSRAMセルに対する放射線トランジェント・ドーズ効果を, RADSPICEシミュレーションにより検討し, 更に, トランジェント・ドーズ耐性を強化したメモリセルを, 大規模集積システム設計教育研究センターのテストランにより試作したので, その結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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藤元 聖一
静岡理工科大学電子工学科
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波多野 裕
静岡理工科大学電子工学科
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波多野 裕
静岡理工科大学大学院理工学研究科材料科学専攻 : 静岡理工科大学理工学部電子工学科
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西浦 吉晃
静岡理工科大学電子工学科
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波多野 裕
静岡理工科大 理工
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藤元 聖一
静岡理工科大学電子工学科 : (現)ヤマハ(株)半導体大阪デザインセンタ
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