高速・低消費電力CMOS論理レベル交換回路

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概要

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• 近年、LSIの高速化、低消費電力化を計る手段として、小振幅のデータ転送を行うことが増えてきている。またフラッシュメモリなどの下揮発性メモリでは、書き込み/消去に複数の電圧レベルが必要となるために、CMOSレベルを高電圧レベルの信号に変換する必要がある。これらの論理レベル変換にはレベルシフタが用いられるが、従来のレベルシフタでは、論理変換時に大きな貫通電流が流れ、消費電力や高速動作させる上で問題となっていた。今回遅延回路を用いたフィードバックにより、論理変換時の貫通電流を抑制し、高速動作、低消費電力動作が可能なレベルシフタを開発したので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-03-27

著者

• 曽根田 光生

  ソニー株式会社 メディアプロセシング研究所

• 曽根田 光生

  ソニー(株)半導体事業本部 研究部

• 三浦 清志

  ソニー(株)中央研究所

• 関 毅裕

  ソニー(株)中央研究所

• 森谷 友紀

  ソニー(株)中央研究所

• 曽根田 光生

  ソニー(株) 中央研究所

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