インピーダン境界条件とIE-MEI法による2次元不完全導電性散乱体の解析
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概要
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新しい形式の、積分方程式形によるMEI(IE-MEI)法を導出し、その解釈を与えた。また、インピーダンス境界条件(IBC)を含む新しい IE-MEI法を導出した。この新手法により、2次元不完全導電体のTM波散乱を解析した。新しい、IBCを含むIE-MEI法は、オリジナルの完全電気導体に対するIE-MEI法と同じ利点がある。つまり、モーメント法と比較して、少ないメモリで高速に計算できる。新手法の利点・正当性・限界を、不完全導電性円柱に対する、新手法による計算結果と正確な級数展開解との比較により示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-11-20
著者
-
廣瀬 雅信
電子技術総合研究所 光技術部
-
廣瀬 雅信
カシオ計算機 (株) 要素技術研究所 第4研究室
-
高田 潤一
東京工業大学 大学院理工学研究科
-
荒井 郁男
電気通信大学
-
三宅 正泰
カシオ計算機(株)要素技術研究所
-
新井 郁男
電気通信大学電子工学科
-
荒井 郁男
電通大 電気通信
-
高田 潤一
東京工業大学
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