S帯GaAsFET電力増幅器の設計
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概要
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電力増幅器の設計は,一般に小信号Sパラメータ,或いは,チューナーを用いた設計が行われている。我々はFETの等価回路定数r_<ds>を,ドレインI-V特性で最大電力を与える負荷抵抗r_Lに置き換え,線形シミュレータを用いて,S帯GaAsFET電力増幅器を簡便に設計する事が出来たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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乙津 祐一
(株)次世代衛星通信・放送システム研究所
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乙津 祐一
株式会社 次世代衛星通信・放送システム研究所
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乙津 祐一
(株)次世代衛星通信・放送システム研究所(asc)
-
岡本 照喜
株式会社 次世代衛星通信・放送システム研究所
-
石田 等
富士通株式会社
-
石井 恭一
富士通株式会社
-
小池 章一
株式会社 次世代衛星通信・放送システム研究所(ASC)
-
岡本 照喜
株式会社 次世代衛星通信・放送システム研究所(asc)
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