高比誘電率方形誘電体中に配置したサイド結合形コプレーナ線路の特性解析
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概要
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筆者等は先に高比誘電率・低損失特性を有する方形誘電体基板中に、積層形構造として配置したプロードサイド結合形コプレーナ線路(Broadside-Coupled Coplanar Waverguide:BC-CPW)について、誘電体基板内部にその電磁界のほとんどが集中しているものと仮定し、等角写像法を用いてTEM近似解を得た。ここでは、方形誘電体基板中央部にサイド結合形コプレーナ線路(Side-Coupled CPW:SC-CPW)を対称に配置した構造について、その特性を等角写像方により解析した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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