高密度実装技術を用いたATMスイッチにおけるセル転送速度制限
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概要
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高速ATMスイッチアーキテクチャをインプリメントするためには、マルチチップモジュール(MCM)等の高速実装技術の適用が必要である。本論文では、MCM実装において、搭載LSIへ電圧を供給する基板電源層の高周波な電圧変動によりLSI間のリンクスループット(物理回線速度×並列展開数)が制限を受けることを明かにしている。ECLインタフェース時の電源変動に着目し、信号線1本あたりの速度(物理回線速度)と並列展開数の制限をシミュレーションにより求めた結果、物理回線速度が高速となるほど電源変動から並列展開数が制限され、低速回線で並列展開数を増加した場合と比べリンクスループットはむしろ低下してしまうことが明らかとなった。この結果は、MCMの最大のメリットである高速信号の高密度化が電源変動により十分活かせないことを示す。また、スイッチング電流が流れるVTT-VCC電源層間のキャパシタンス増加が電源変動抑制に効果があることを定量化し、高速信号の同時動作数を増加できることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-16
著者
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