低エネルギー酸素イオンビームを酸化源とした酸化物薄膜のMBE成長
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概要
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超高真空中における酸化物薄膜のMBE成長を実現するために、新しい酸化源として質量分離された低エネルギー酸素イオン(O^+)ビームを開発し、その有効性を検討した。O^+は酸化力が極めて大きく、高純度のものを得ることができ、基板への入射量と入射エネルギーを制御できるという特徴を持つ。O^+ビームを用いることにより超高真空中(3×10^-9>Torr)において100℃のMgO基板上にCuO薄膜のエピタキシャル成長を行った。また、O^+ビームとCu分子線のフラックス比による膜中酸素量の直接制御の可能性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-16
著者
-
喜多 隆介
Istec超電導工学研究所
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森下 忠隆
(財)国際超電導産業技術研究センター(istec)超電導工学研究所
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川口 健一
(財)国際超電導産業技術研究センター(istec)超電導工学研究所
-
川口 健一
ISTEC超電導工学研究所
-
Pindoria Govind
ISTEC超電導工学研究所
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西山 円
ISTEC超電導工学研究所
-
森下 忠隆
ISTEC超電導工学研究所
-
Pindoria Govind
Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center
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