エレクトロニクス応用を目指す酸化物超伝導薄膜 : ホモエピタキシャル成長へ向けて
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概要
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酸化物超伝導薄膜成長プロセスは、格子不整合を伴うヘテロエピタキシャル成長からスタートした。しかし、薄膜および基板の品質がともに向上し、エレクトロニクス応用が現実的な課題として見えてくる段階に至って、数々の問題点やその限界が議論されるようになってきた。最近、我々は大型のYBa2Cu3Ox単結晶を引き上げ法により作製することに成功し、その応用の1つとして単結晶基板上のホモエピタキシャル成長を実現しようと考えている。同材質の単結晶基板材料を用いることにより、いくつかある現状の薄膜プロセスの問題を解決できると確信している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-13
著者
-
森下 忠隆
超電導工学研究所
-
塩原 融
(財)国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所
-
塩原 融
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所 線材研究開発部
-
森下 忠隆
(財)国際超電導産業技術研究センター(istec)超電導工学研究所
-
森下 忠隆
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
小山 敏
財団法人国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所線材研究開発部
-
塩原 融
国際超電導産業技術研セ
-
座間 秀昭
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
王 福仁
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
小山 敏
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
塩原 融
(財)国際超電導産業技術研究センター
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