酸化物高温超伝導体を用いたジョセフソン接合のための強磁性絶縁体EuO薄膜の開発
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概要
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酸化物高温超伝導体と強磁性絶縁体EuOとのジョセフソン接合作製を最終的な目標とする。EuOの強磁性キュリー温度は69Kである。高温超伝導体のT_C以下で絶縁層が常磁性から強磁性へ転移するので、強磁性が接合特性に与える影響を調べることできると期待している。この接合作製の第1段階として、EuOと同じNaCl型の結晶構造を持つMgO基板、酸化物高温超伝導体の基本構造であるペロブスカイト構造を持つSrTiO_3基板上で、EuO薄膜の作製を行った。MgO基板上には直接、SrTiO_3基板上にはBaOバッファー層を介して、磁気特性がバルク試料と同等なEuO薄膜がエピタキシャル成長した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-26
著者
-
近 桂一郎
早大理工
-
近 桂一郎
早稲田大学 理工学総合研究センター
-
近 圭一郎
早大理工
-
森下 忠隆
超電導工研
-
森下 忠隆
(財)国際超電導産業技術研究センター(istec)超電導工学研究所
-
森下 忠隆
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
岩田 展幸
早大理工
-
岩田 展幸
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
近 桂一郎
早稲田大学
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