有限要素法によるAlGaN/GaNヘテロ接合FETの特性解析
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概要
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III-V族窒化物半導体ヘテロ接合AlGaN/GaNに生ずるピエゾ効果を考慮に入れた電界効果トランジスタ特性を、化合物半導体シミュレータATLAS/BLAZEを用い有限要素法によって解析した.AlGaNのヘテロ接合面と最上層にn型、p型のδドーピングをそれぞれ付加してAlGaN層中にピエゾ電界と等価な電界を発生させた.またヘテロ界面に発生する2次元電子ガス濃度をδドープ量の関数として求め、理論的に想定される電子ガス濃度条件で、従来のシミュレーション法では不可能であった窒化物半導体ヘテロ接合FETの直流特性, 高周波特性の解析が可能となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-10
著者
-
横倉 三郎
明星大学理工学部
-
田沼 伸久
明星大学物性研究センター
-
鷹野 致和
明星大学大学院理工学研究科
-
田沼 伸久
物性研究センター, 電気工学科 明星大学
-
横倉 三郎
物性研究センター, 電気工学科 明星大学
-
鷹野 致和
物性研究センター, 電気工学科 明星大学
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