田沼 伸久 | 明星大学物性研究センター
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概要
関連著者
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田沼 伸久
明星大学物性研究センター
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鷹野 致和
明星大学大学院理工学研究科
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横倉 三郎
明星大学理工学部
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横倉 三郎
明星大学
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久保田 稔
明星大学大学院理工学研究科
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田沼 伸久
明星大学 先端材料研究開発センター
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鷹野 致和
明星大学 先端材料研究開発センター
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横倉 三郎
明星大学物性研究センター
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五十嵐 登
明星大学
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五十嵐 登
明星大学 先端材料研究開発センター
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宮崎 栄悟
明星大学理工学部電気工学科
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鷹野 致和
明星大学理工学部電気工学科
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田沼 伸久
物性研究センター, 電気工学科 明星大学
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横倉 三郎
物性研究センター, 電気工学科 明星大学
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鷹野 致和
物性研究センター, 電気工学科 明星大学
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横倉 三郎
明星大
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梶原 洋子
文教大学
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野崎 忠信
明星大学
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梶原 洋子
文教大学教育学部
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鷹野 致和
明星大学物性研究センター電気工学科
著作論文
- 有限要素法によるAlGaN/GaN HFETのシミュレーション
- ヘテロ障壁可変容量ダイオードを用いた非線形伝送線路のSPICEシミュレーション
- フェムト秒パルス発生回路の研究
- GaAs/p-AlGaAs/GaAsヘテロ障壁型バラクタダイオードの試作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 超高感度雑音測定システム
- コンピュータ制御全自動電池電源装置
- GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード
- InGaAs/InAlAsヘテロ接合結晶の低周波雑音とトラップスペクトロスコピー
- GaAs/p-AlGaAs/GaAsヘテロ障壁型バラクタダイオードの試作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- p型及びn型InGaAs/InAlAsヘテロ接合の1/fゆらぎ温度依存性
- 車椅子レース用フライングスタート検出方法
- 有限要素法によるAlGaN/GaNヘテロ接合FETの特性解析
- 有限要素法によるAlGaN/GaNヘテロ接合FETの特性解析
- 有限要素法によるAlGaN/GaNヘテロ接合FETの特性解析
- AlGaN/GaN ヘテロ接合FETの有限要素法シミュレーション
- GaNと4H-SiCのECRプラズマエッチング
- n型GaNの1/f電流雑音特性