GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2006-09-28

著者

• 田沼 伸久

  明星大学物性研究センター

• 鷹野 致和

  明星大学大学院理工学研究科

• 久保田 稔

  明星大学大学院理工学研究科

関連論文

• 有限要素法によるAlGaN/GaN HFETのシミュレーション
• ヘテロ障壁可変容量ダイオードを用いた非線形伝送線路のSPICEシミュレーション
• フェムト秒パルス発生回路の研究
• GaAs/p-AlGaAs/GaAsヘテロ障壁型バラクタダイオードの試作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 超高感度雑音測定システム
• コンピュータ制御全自動電池電源装置
• GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード
• InGaAs/InAlAsヘテロ接合結晶の低周波雑音とトラップスペクトロスコピー
• GaAs/p-AlGaAs/GaAsヘテロ障壁型バラクタダイオードの試作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• p型及びn型InGaAs/InAlAsヘテロ接合の1/fゆらぎ温度依存性
• 車椅子レース用フライングスタート検出方法
• 有限要素法によるAlGaN/GaNヘテロ接合FETの特性解析
• 有限要素法によるAlGaN/GaNヘテロ接合FETの特性解析
• 有限要素法によるAlGaN/GaNヘテロ接合FETの特性解析
• AlGaN/GaN ヘテロ接合FETの有限要素法シミュレーション
• GaNと4H-SiCのECRプラズマエッチング
• n型GaNの1/f電流雑音特性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク