GaAs/p-AlGaAs/GaAsヘテロ障壁型バラクタダイオードの試作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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超高周波逓倍器等に使用が期待される,ヘテロ障壁型バラクター(HBV)を試作した.デバイスシミュレータによって素子構造の最適化設計を行い,これに基づいて試作した結果を報告する.有限要素法によるシミュレーションの結果,AlGaAs障壁層によって0バイアスで最大容量となり正負バイアスで線対称なHBV容量-電圧特性が得られることを確認した.また,p-AlGaAs障壁とするこで0V付近でHBVの漏れ電流を小さくできること,n-GaAs/p-GaAlAs/n-GaAs構造のHBVを試作し,シミュレーションで予測される電圧-容量特性が実現できることを確かめた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-14
著者
-
横倉 三郎
明星大学
-
横倉 三郎
明星大学理工学部
-
田沼 伸久
明星大学物性研究センター
-
宮崎 栄悟
明星大学理工学部電気工学科
-
横倉 三郎
明星大学物性研究センター
-
鷹野 致和
明星大学理工学部電気工学科
-
鷹野 致和
明星大学大学院理工学研究科
-
横倉 三郎
明星大
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