モンテカルロ法によるスパッタ装置シミュレーション

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概要

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実用的なモンテカルロ法を用いた装置レベルでのスパッタ形状モデルを開発した。このモデルは、実験により得られた***ージョンを考慮し、疑似軸対称近似により、入射原子の3次元軌道をストリングモデルを用いた2次元スパッタ断面形状に変換し、また、6-12 Lennard-Jonesポテンシャルを用いて、エネルギー依存の衝突断面積を計算する機能を含んでいる。シミュレーションにより得られたコンタクトホールにコリメートスパッタされたチタンの形状は、5%の精度で実験的で得られたSEM写真と良く一致した。また、シミュレーションによる膜厚分布は実験値と3.5%の精度で一致した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-09-13

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