C_<60>のSTMによる移動操作
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概要
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清浄なSi(111)-7×7表面に吸着させたフラーレンC_60>の移動操作について検討した。この表面についてSTM探針のラスター走査によりC_60>分子の移動が起こり始めるスレッションドにおけるトンネル電流と電圧の関係を調べた。その結果、C_60>分子の移動が起こり始めるためには、探針-Si基板表面間距離にしきい高さが存在し、Pt, Ir探針とW探針の場合でその値が異なることがわかった。平行平板モデルによりしきい高さを見積もったところ、W探針の方がしきい高さが約0.2nm高くなることがわかった。W探針を用いた移動操作により、Si基板上にランダムに吸着しているC_60>分子を分配列できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-18
著者
-
布下 正宏
三菱電機半導体基礎研究所
-
布下 正宏
三菱電機株式会社半導体基礎研究所
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布下 正宏
三菱電機(株)半導体基礎研究所
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井須 俊郎
三菱電機(株)半導体基礎研究所
-
丸野 茂光
三菱電機半導体基礎研究所
-
稲永 和彦
三菱電機半導体基礎研究所
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井須 俊郎
三菱電機半導体基礎研究所
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丸野 茂光
三菱電機半基研
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井須 俊郎
三菱電機半基研
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稲永 和彦
三菱電機半基研
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