銅-ポリイミド多層基板の平坦化プロセス
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概要
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ウィアポスト接続型Cu-PI薄膜多層基板においてエッチバック法を用いた平坦化プロセスの検討を行った。基礎検討としてポリイミドと平坦性犠牲膜として用いたフォトレジストのD.O.P(Degree of Planarization)、ポリイミドとレジストのエッチング速度、平坦化したポリイミドと配線導体である銅の密着力を調べた後、配線基板を作製し信頼性試験(接続抵抗変化率、絶縁抵抗)、伝送特性測定(特性インピーダンス、伝送損失)を行った。伝送損失は1GHzで0.2dB, cmであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-18
著者
-
井口 泰男
沖電気工業株式会社 研究開発本部 マイクロシステム技術研究所 マイクロコンポーネント・プロジェクト
-
高橋 良郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部 マイクロシステム技術研究所 マイクロコンポーネント・プロジェクト
-
糟谷 行男
沖電気工業
-
金森 孝史
沖電気工業
-
高橋 良郎
沖電気工業
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