カルコパイライト型半導体のGa溶液の状態図とTHM成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
CuGaSe_2及びCuGaTe_2の単結晶作製を、構成元素のGaを溶媒に用いたTHM法で行うため、CuCaSe_2-Ga系及びCuGaTe_2-Ga系の状態図を作成した。これらのGa溶液では、液相に溶解度ギャップが存在し、低濃度溶液からの成長結晶はGaSe及びGaTeであった。液相が単一相でカルコパイライト結晶が成長可能なGa溶液は、CuGaSe_2では960℃以上、CuGaTe_2では760℃以上であった。状態図をもとにGaを溶媒に用いて、CuGaSe_2及びCuGaTe_2のTHM成長を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
-
杉山 耕一
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
三宅 秀人
三重大学 工学部
-
後藤 克之
三重大学 工学部 電気電子工学科
-
杉山 耕一
三重大学 工学部 電気電子工学科
関連論文
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 25pWZ-1 CuInSe_2結晶の欠陥のSTEM観察(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- 三元および多元カルコパイライト型半導体のTHM成長
- カルコパイライト型半導体のGa溶液の状態図とTHM成長
- カルコパイライト型半導体のGa溶液の状態図とTHM成長
- カルコパイライト型半導体結晶の溶液成長
- THM法によるカルコパイライト型半導体単結晶の作製
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)