多元蒸着法による酸化物強誘電体薄膜の高速合成
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概要
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ペロブスカイト強誘電体, チタン酸鉛(PbTiO_3), PLT(Pb, La)TiO_3), PZT(Pb(Zr, Ti)O_3)薄膜を金属原料を用いた電子ビーム多元蒸着法により合成した. 膜の酸化を促進するため, 酸素とオゾン(5%)の混合ガスを用いた. PbTiO_3, PLTペロブスカイト単相の膜が, 基板温度550℃で事後の熱処理なしで得られた. PZTについては, 同じ温度てPbTiO_3薄膜上に得られた. PbTiO_3, PLT, PZT膜の堆積速度は, 11O, 50, 50 nm/minで, スパッタリング法と比較して高速での製膜が可能となった.
- 1996-01-26
著者
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