rf-SQUIDを用いたメモリセルの設計
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概要
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rf-SQUIDを1セルとする新しいタイプのジョセフソンメモリセルを提案する。二進のデータは単一磁束として蓄えられる。読み出し動作はセルが発生するパルス電流を検出することで行われる。このため、破壊的に読み出されるので自動再書き込み駆動回路が必要である。このメモリセルの設計と動作シミュレーションを行った。その結果、本研究で提案するメモリセルはサイクル時間260psで動作できることが見積られた。メモリセルの設計では、ジョセフソン電流密度が5.0kA/cm^2のNb/AlO_x/Nbトンネル接合を仮定し、最小線幅2μm、接合面積2μm×2μmとすると、セルの占有面積が18μm×18μmで構成することが判った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-27
著者
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