Drung式SQUID素子の製作
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概要
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バイアス電流の注入を非対称にしAPFの向きに注意してdV, dΦが大きい点に停留点ができるという所望の特性を持つDrung式SQUIDを製作した。Ic、Rのパラメータをふる実験を行なった結果、IcR積を知ることでVs、dV, dΦ、Φnなどの特性が予想できることが示された。またバッチごとのバラツキの測定により4.0fT/√Hz>程度の磁場分解能をもつSQUIDの量産可能性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-20
著者
-
上原 弦
金沢工業大学先端電子技術応用研究所
-
塚田 啓二
(株)日立製作所中央研究所
-
塚田 啓二
(株)超伝導センサ研究所
-
河合 淳
金沢工業大学
-
上原 弦
超伝導センサ研究所
-
賀戸 久
電子技術総合研究所
-
風見 邦夫
超伝導センサ研究所
-
河合 淳
超伝導センサ研究所
-
高田 洋一
超伝導センサ研究所
-
松田 直樹
超伝導センサ研究所
-
賀戸 久
金沢工業大学
-
水谷 直樹
超伝導センサ研究所
-
山崎 周一
超伝導センサ研究所
-
塚田 啓二
超伝導センサ研究所
-
賀戸 久
金沢工大
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