ダンピング抵抗の自己インダクタンスによるLC共振の抑制
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概要
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3JIではダンピング抵抗のカイネテイク自己インダクタンスとループ電流の帰還路にある大きい冗長な超電導インダクタンスは複数の共振を引き起こす。その原因で素子の動作電源領域が狭くなる。これらのインダクタンスの間の相互磁気結合は共振振幅を低減するために大きい効果があることが分かった。簡単な計算と、上記磁気結合があるとない素子について共振振幅を比較することによってこの効果を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-25
著者
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西野 壽一
(株)日立製作所中央研究所
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西野 壽一
株式会社日立製作所中央研究所
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丘 維禮
株式会社日立製作所中央研究所
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丘 維禮
(株) 日立製作所 中央研究所
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細谷 睦
(株) 日立製作所 中央研究所
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小南 信也
(株) 日立製作所 中央研究所
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西野 壽一
(株) 日立製作所 中央研究所
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