低基板温度で作製した斜め蒸着 Co-Cr 膜の磁気特性
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概要
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斜め蒸着法により作製したCo-Cr系蒸着膜の磁気特性と膜構造について調べた。室温程度の低い基板温度で作製した斜め蒸着Co-Cr膜は、1000 Oe以上の保磁力と6000 Oe以上の異方性磁界を示した。膜中には多量の酸素が取り込まれていること、この酸素は主にCrと結合しCr酸化物を形成していることが観測された。これより、膜内ではCrリッチな非磁性酸化物部とCoリッチな強磁性金属部からなる組成偏析が生じていると推測される。この組成偏析効果と、自己陰影効果によって生じる物理的な分離効果が合わさり、磁性粒子間の磁気的結合が弱まったために比較的高い保磁力が得られたと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-12
著者
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