計算機シミュレーションによるMRセンサの出力及び磁化分布の解析 : 困難軸方向の一様磁界に対する出力特性のSAL磁化容易軸方向依存性
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概要
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交換バイアス型のソフトバイアス膜(SAL)型磁気抵抗効果型(MR)センサにおいて、SAL感磁部端部に発生する磁化の渦が原因で困難軸方向の一様磁界に対する出力特性に生じるヒステリシスの抑制を目的として、計算機シミュレーションにより出力特性のSAL磁化容易軸方向依存性について検討を行った。その結果、(1)SAL磁化容易軸を、バイアス状態におけるSAL感磁部内の磁化の方向に長手方向から30〜60゜の範囲で傾けると、SAL感磁部端部に磁化の渦が発生しないためヒステリシスが生じないこと、(2)磁化容易軸を上記方向と反対方向に傾けると、SAL感磁部両端部に磁化の渦が生じるため、磁化容易軸を傾けない場合よりもヒステリシスが大きくなることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-19
著者
-
仲谷 栄伸
電気通信大学
-
戸塚 香
(株)日立製作所・中央研究所
-
林 信夫
電気通信大学情報工学科
-
林 信夫
電気通信大学
-
上坂 保太郎
日本大学
-
藤本 和久
日立
-
福井 宏
株式会社日立金属磁性材料研究所
-
福井 宏
日立製作所 中央研究所
-
藤本 和久
日立製作所中央研究所
-
上坂 保太郎
日立製作所中央研究所
-
戸塚 香
日立製作所中央研究所
-
戸塚 香
(株)日立製作所中央研究所
-
仲谷 栄伸
電気通信大学電気通信学部情報工学科
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